Das várias especificações técnicas de smartphones e tablets que melhoram com o tempo, a memória de armazenamento parece uma das mais "estáveis". Você vê aparelhos com capacidade entre 4 e 64 GB, mas nenhum parece que vai disparar nesse valor — pelo menos até agora. Isso porque o mercado começa a ver com bons olhos uma tecnologia que antes parecia que não sairia dos laboratórios, mas agora está cada vez mais perto de ganhar o coração das fabricantes.
Trata-se da Resistive Random-access Memory (RRAM), uma tecnologia desenvolvida pelos pesquisadores da Rice University. Ela já é trabalhada há anos e tem como carta na manga o uso do óxido de silício, um material que também pode otimizar telas e baterias.
De acordo com o mais recente artigo desses cientistas, a tal RRAM é superior às concorrentes em praticamente todos os quesitos. O segredo está na inserção de um material dielétrico (que não conduz eletricidade normalmente) poroso em vez de metal entre dois cabos — no caso, o óxido de silício, que é abundante na Terra e bastante usado e estudado. Quando uma voltagem alta o suficiente é aplicada nessa corrente, um caminho estreito de condução é formado. É ele que permite a escrita, o sumiço e a reescrita de dados nesse tipo de memória.
E o que ela tem de bom?
A RRAM é mais rápida e guarda mais dados em um menor espaço que a memória flash, que ainda começa a ganhar o mercado atual. Um exemplo: é possível guardar até 1 TB de dados em um dispositivo do tamanho de um selo postal. Já imaginou seu smartphone com tanta memória assim?
A fabricação também está melhorando e já é mais atrativa do que os processos rivais. A RRAM pode ser fabricada em um quarto em temperatura ambiente, tem baixo consumo de energia, é mais densa (ou seja, armazena mais dados), possui alta velocidade de funcionamento e prolongado ciclo de duração.
Por enquanto, ainda é cedo para a RRAM ser especulada em algum aparelho, mas os pesquisadores esperam fechar ainda neste ano as primeiras parcerias com fabricantes.
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